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SRAM est l'acronyme de Statique Random Access Memory (mémoire statique à accès aléatoire) et est un type de mémoire semi-conducteur qui utilise un circuit de verrouillage bistable (bascule) pour stocker chaque bit. Il contient des bits de données dans sa mémoire tant que l'alimentation est fournie. Il ne peut pas contenir de données si l'alimentation est interrompue. La SRAM est utilisée lorsque la vitesse ou la faible consommation sont nécessaires. Sa densité est plus élevée que la DRAM, et sa structure moins complexe en fait une solution idéale pour une utilisation dans les scénarios de mémoire semi-conductrice dans lesquels une mémoire haute capacité est utilisée comme dans la mémoire de travail des ordinateurs.
La SRAM est différente de la DRAM (RAM dynamique, qui stocke les bits dans les cellules composées d'un condensateur et d'un transistor), en raison du fait que la SRAM n'a pas besoin d'être régénérée contrairement à la RAM dynamique, ce qui perd des données à moins qu'elles ne soient régénérées régulièrement. La mémoire SRAM est plus rapide et plus onéreuse que la DRAM.
La SRAM est utilisée pour la mémoire cache d'un ordinateur et fait partie du convertisseur numérique-analogique de la RAM présent sur une carte vidéo. La SRAM peut être conçue avec un processus de technologie CMOS général avec six transistors (cellule mémoire 6T) etsans condensateur. Etant donné que les transistors ne nécessitent pas d'alimentation pour empêcher les fuites, la SRAM n'a pas besoin d'être rafraîchie régulièrement :
