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L'usage principal d'une diode Schottky de redressement est la correction des courants alternatifs. Elle est utilisée pour faire circuler un courant à travers un circuit dans une seule direction. Contrairement aux composants comme les résistances, un courant de redresseur a une relation non linéaire avec la tension qui le traverse. La diode a une polarisation directe lorsqu'une tension positive est appliquée et fait de son mieux pour fonctionner comme un court-circuit, permettant au courant de circuler librement à travers la diode. Sa tâche principale est de convertir un courant alternatif (c.a.) en courant continu (c.c.) par l'utilisation de ponts redresseurs. Une diode de redressement peut parfois être utilisée comme un redresseur Schottky.
Une diode Schottky est parfois appelée une diode barrière. La diode Schottky est un type unique de composant électronique qui est un semi-conducteur. Elle offre une action de commutation rapide, accompagnée d'une faible chute de tension directe ; lorsqu'un courant circule dans la diode, une petite chute de tension survient sur les bornes de la diode. Une diode standard permet une chute de tension entre 0,6 et 1,7 V tandis qu'une chute de Schottky est comprise entre 0,15 et 0,45 V. Cette faible chute de tension facilite la commutation rapide et améliore le rendement du système.
Elles sont utilisées pour le blocage de tension des applications, et également pour éviter la saturation de transistor. Elles sont utilisées ainsi en raison de leur densité de courant élevée. Les diodes Schottky peuvent être utilisées en tant que redresseurs (dans les alimentations). Un bon élément à utiliser dans les applications sensibles et efficaces pour empêcher les piles de se décharger. Panneaux solaires et systèmes connectés au réseau électrique.
La diode Schottky limite la chute de tension entre 0,15 et 0,45 V. Un temps de récupération rapide, qui se traduit en une petite quantité de charge stockée qui peut alors être utilisée pour les commutateurs haute vitesse. La faible capacité de jonction occupe un espace réduit après que le fil entre en contact avec le silicium. Les niveaux de capacité sont également très faibles. Un rendement plus élevé. Bague de protection intégrée pour la protection contre les contraintes.
