Transistors MOSFET, Transistors À Effet De Champ, MOSFET de puissance | RS
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    Transistors MOSFET

    Les transistors MOSFET, appelés simplement MOSFET, qui signifie "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde de métal" sont des dispositifs à transistor qui sont contrôlés par un condensateur. L'effet de champ des transistors MOSFET signifie qu'ils sont contrôlés par tension. Le but d'un transistor MOSFET est de contrôler le flux du courant passant de la source aux bornes de drain. Il agit de manière très similaire à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

    Ces dispositifs à semi-conducteurs sont des circuits intégrés (CI) montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une gamme de boîtiers standards, tels que DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

    A quoi correspondent les modes d'épuisement et d'amélioration ?

    Les transistors MOSFET sont dotés de deux modes : épuisement et amélioration. Les transistors MOSFET de déplétion (épuisement) fonctionnent comme un commutateur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée. Les transistors MOSFET à mode d'amélioration sont comme une résistance variable et sont généralement plus populaires que les transistors MOSFET à mode d'épuisement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou à canal P.

    Comment fonctionnent les transistors MOSFET ?

    Les broches sur un boîtier MOSFET sont la source, la porte et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre la porte et les bornes source, le courant peut passer du drain aux broches source. Lorsque la tension appliquée à la porte change, la résistance du drain à la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance du drain à la source diminue. Les transistors MOSFET de puissance sont comme des transistors MOSFET standard, mais ils sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

    Transistors MOSFET canal N ou canal P

    Les transistors MOSFET à canal N est le type de canal le plus populaire. Il permet à davantage d'électron de s'y déplacer. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée au terminal de la porte.

    Le substrat de transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des orifices d'électrons. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'allument lorsque la tension fournie au terminal de la porte est inférieure à la tension source.

    18930 Produits présentés pour Transistors MOSFET

    • Code commande RS 281-6034
    • Référence fabricant IRFP460PBF
    l'unité (par multiple de 5)
    5,184 €
    Vishay
    N
    20 A
    500 V
    -
    TO-247
    Traversant
    3
    -
    Enrichissement
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    • Code commande RS 687-5248
    • Référence fabricant STW13NK100Z
    la pièce
    8,05 €
    STMicroelectronics
    N
    13 A
    1 000 V
    MDmesh, SuperMESH
    A-247
    Traversant
    3
    700 MΩ
    Enrichissement
    4.5V
    3V
    350 W
    Simple
    -30 V, +30 V
    190 nC @ 10 V
    5.15mm
    15.75mm
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 761-0049
    • Référence fabricant STP17NK40ZFP
    la pièce
    4,87 €
    STMicroelectronics
    N
    15 A
    400 V
    MDmesh, SuperMESH
    TO-220FP
    Traversant
    3
    250 mΩ
    Enrichissement
    4.5V
    3V
    35 W
    Simple
    -30 V, +30 V
    65 nC @ 10 V
    4.6mm
    10.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 542-9440
    • Référence fabricant IRF840APBF
    la pièce
    2,10 €
    Vishay
    N
    8 A
    500 V
    -
    TO-220AB
    Traversant
    3
    850 mΩ
    Enrichissement
    -
    2V
    125 W
    Simple
    -30 V, +30 V
    38 nC @ 10 V
    4.7mm
    10.41mm
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 725-9322
    • Référence fabricant IRLB8721PBF
    l'unité (par multiple de 5)
    0,974 €
    Infineon
    N
    62 A
    30 V
    HEXFET
    TO-220AB
    Traversant
    3
    9 mΩ
    Enrichissement
    2.35V
    1.35V
    65 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    7,6 nC @ 4,5 V
    4.83mm
    10.67mm
    Si
    1
    +175 °C
    • Code commande RS 671-0441
    • Référence fabricant FDN357N
    l'unité (par multiple de 5)
    0,454 €
    onsemi
    N
    1,9 A
    30 V
    -
    SOT-23
    CMS
    3
    600 mΩ
    Enrichissement
    -
    1V
    500 mW
    Simple
    -20 V, +20 V
    4,2 nC @ 5 V
    1.4mm
    2.92mm
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 125-8043
    • Référence fabricant IXFN420N10T
    la pièce
    33,58 €
    IXYS
    N
    420 A
    100 V
    GigaMOS Trench HiperFET
    SOT-227
    Montage à visser
    4
    2,3 mΩ
    Enrichissement
    5V
    2.5V
    1,07 kW
    -
    -20 V, +20 V
    670 nC @ 10 V
    25.07mm
    38.23mm
    -
    1
    +175 °C
    • Code commande RS 542-9664
    • Référence fabricant IRFI640GPBF
    la pièce
    2,28 €
    Vishay
    N
    9,8 A
    200 V
    -
    TO-220FP
    Traversant
    3
    180 mΩ
    Enrichissement
    -
    2V
    40 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    70 nC @ 10 V
    -
    -
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 151-933
    • Référence fabricant STFW4N150
    la pièce
    6,34 €
    STMicroelectronics
    N
    4 A
    1 500 V
    STFW4
    TO-3PF
    Traversant
    3
    -
    Enrichissement
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    • Code commande RS 462-3455
    • Référence fabricant SPW47N60C3FKSA1
    la pièce
    13,97 €
    Infineon
    N
    47 A
    650 V
    CoolMOS™ C3
    A-247
    Traversant
    3
    70 mΩ
    Enrichissement
    3.9V
    2.1V
    415 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    252 nC @ 10 V
    5.3mm
    15.9mm
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 783-2949
    • Référence fabricant STB45N65M5
    la pièce
    6,35 €
    STMicroelectronics
    N
    35 A
    710 V
    MDmesh M5
    D2PAK (TO-263)
    CMS
    3
    78 mΩ
    Enrichissement
    5V
    3V
    210 W
    Simple
    -25 V, +25 V
    82 nF @ 10 V
    9.35mm
    10.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 541-0020
    • Référence fabricant IRF740PBF
    la pièce
    1,74 €
    Vishay
    N
    10 A
    400 V
    -
    TO-220AB
    Traversant
    3
    550 mΩ
    Enrichissement
    -
    2V
    125 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    63 nC @ 10 V
    4.7mm
    10.41mm
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 540-9777
    • Référence fabricant IRFZ44NPBF
    la pièce
    1,01 €
    Infineon
    N
    49 A
    55 V
    HEXFET
    TO-220AB
    Traversant
    3
    17,5 mΩ
    Enrichissement
    4V
    2V
    94 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    63 nC @ 10 V
    9.02mm
    10.67mm
    Si
    1
    +175 °C
    • Code commande RS 218-2997
    • Référence fabricant IPA60R125CFD7XKSA1
    l'unité (par multiple de 5)
    3,012 €
    Infineon
    N
    11 A
    600 V
    CoolMOS™ CFD7
    TO-220 FP
    Traversant
    3
    0,125 Ω
    -
    4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    1
    -
    • Code commande RS 146-4405
    • Référence fabricant IXFN170N65X2
    la pièce
    56,40 €
    IXYS
    N
    170 A
    650 V
    HiperFET
    SOT-227
    Montage à visser
    4
    13 MΩ
    Enrichissement
    5V
    3.5V
    1,17 kW
    Simple
    ±30 V
    434 @ 10 V nC
    25.07mm
    38.23mm
    -
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 260-1218P
    • Référence fabricant IPP60R065S7XKSA1
    l'unité (conditionné en tube)
    4,92 €
    Infineon
    N
    8 A
    600 V
    -
    A-220
    Traversant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    • Code commande RS 812-3198
    • Référence fabricant SI4164DY-T1-GE3
    l'unité (par multiple de 10)
    1,018 €
    Vishay
    N
    30 A
    30 V
    -
    SOIC
    CMS
    8
    3,9 mΩ
    Enrichissement
    -
    1.2V
    6 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    62 nC @ 10 V
    4mm
    5mm
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 761-3515
    • Référence fabricant BUZ11-NR4941
    l'unité (par multiple de 5)
    1,068 €
    onsemi
    N
    30 A
    50 V
    -
    TO-220AB
    Traversant
    3
    40 mΩ
    Enrichissement
    -
    2.1V
    75 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    -
    4.83mm
    10.67mm
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 759-9128
    • Référence fabricant FDL100N50F
    la pièce
    17,26 €
    onsemi
    N
    100 A
    500 V
    UniFET
    TO-264
    Traversant
    3
    55 mΩ
    Enrichissement
    -
    3V
    2,5 kW
    Simple
    -30 V, +30 V
    238 nC @ 10 V
    5mm
    20mm
    Si
    1
    +150 °C
    • Code commande RS 708-2630P
    • Référence fabricant ZXMP10A17E6TA
    l'unité (conditionné en bobine)
    0,532 €
    DiodesZetex
    P
    1,6 A
    100 V
    -
    SOT-23
    CMS
    6
    450 mΩ
    Enrichissement
    4V
    -
    1.7 W
    Simple
    -20 V, +20 V
    10,7 nC @ 10 V
    1.8mm
    3.1mm
    Si
    1
    +150 °C
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