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Les transistors MOSFET, appelés simplement MOSFET, qui signifie "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde de métal" sont des dispositifs à transistor qui sont contrôlés par un condensateur. L'effet de champ des transistors MOSFET signifie qu'ils sont contrôlés par tension. Le but d'un transistor MOSFET est de contrôler le flux du courant passant de la source aux bornes de drain. Il agit de manière très similaire à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.
Ces dispositifs à semi-conducteurs sont des circuits intégrés (CI) montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une gamme de boîtiers standards, tels que DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.
Les transistors MOSFET sont dotés de deux modes : épuisement et amélioration. Les transistors MOSFET de déplétion (épuisement) fonctionnent comme un commutateur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée. Les transistors MOSFET à mode d'amélioration sont comme une résistance variable et sont généralement plus populaires que les transistors MOSFET à mode d'épuisement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou à canal P.
Les broches sur un boîtier MOSFET sont la source, la porte et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre la porte et les bornes source, le courant peut passer du drain aux broches source. Lorsque la tension appliquée à la porte change, la résistance du drain à la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance du drain à la source diminue. Les transistors MOSFET de puissance sont comme des transistors MOSFET standard, mais ils sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.
Les transistors MOSFET à canal N est le type de canal le plus populaire. Il permet à davantage d'électron de s'y déplacer. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée au terminal de la porte.
Le substrat de transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des orifices d'électrons. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'allument lorsque la tension fournie au terminal de la porte est inférieure à la tension source.
